今年NAND漲價(jià)的姿勢(shì)讓人看著不舒服，上游晶圓廠上有意控制產(chǎn)能導(dǎo)致供貨壓力，手機(jī)也因此漲價(jià)，就連華為這樣的大廠都曝出了手機(jī)閃存門，NAND漲價(jià)著實(shí)害人不淺，有人說明年漲價(jià)的態(tài)勢(shì)還將繼續(xù)。

或許正因?yàn)槿绱耍ゴ疟P的聲音似乎也降低了幾個(gè)分貝。Trendfocus CQ3'2017的數(shù)據(jù)顯示，硬盤出貨量從1.03億美元增長(zhǎng)到了1.05億美元。

不管閃存盤漲價(jià)的態(tài)勢(shì)是不是常態(tài)，磁盤勢(shì)力仍舊在原來的路上越走越遠(yuǎn)，8碟片，充氦氣，12TB，14TB，16TB，18TB，有的已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，有的正在路上。

2013年希捷說宣有信心在2020年之做出20TB硬盤，當(dāng)時(shí)這是基于SMR（疊瓦記錄）說的，現(xiàn)在常見的6TB、8TB以及12TB都是采用的PMR，近來，談?wù)摰谋容^熱的是HAMR（熱輔助磁記錄），但是HAMR還沒有正式的產(chǎn)品拿出來。

最近的最近，西數(shù)又開始開發(fā)MAMR（微波輔助磁記錄技術(shù)），以這一技術(shù)為基礎(chǔ)，磁盤容量將繼續(xù)保持一個(gè)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)，到2030年磁盤容量能提升到100 TB水平。

那么，MAMR相對(duì)于此前的技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)呢？

我們從PMR說起，采用垂直磁記錄（簡(jiǎn)稱PMR）技術(shù)的盤片每平方英寸的容量常見的是1Tb（希捷據(jù)的能做到1.3Tb），增大存儲(chǔ)密度會(huì)降低可靠性，增長(zhǎng)空間非常有限了，HGST的氦氣盤做到12TB已經(jīng)近乎極限了，所以，需要新的改進(jìn)技術(shù)。

于是后來就有了HAMR，HAMR改變磁極屬性的方法有所改進(jìn)（加熱方式），存儲(chǔ)密度可以有較大提升。基于HAMR技術(shù)，理論上存儲(chǔ)密度可以做到每平方英寸1Tb提升到5Tb以上，另外，希捷表示2018年將會(huì)有基于HAMR的16TB以及18TB硬盤推出。

不過，HAMR反復(fù)加熱與冷卻也會(huì)降低磁盤的可靠性和壽命，有沒有辦法解決HAMR的問題呢？MAMR用自旋扭矩振蕩器（簡(jiǎn)稱STO）生成微波來改變磁性，避免了HAMR加熱帶來的問題。

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